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半导体制造技术导论读书笔记模板 01思维导图 读书笔记 目录分析 内容摘要 精彩摘录 作者介绍目录0305020406 思维导图 技术制造半导体加工工艺技术化学工艺小结习题参考文献技术简介化学气相集成电路金属等离子体过程本书关键字分析思维导图 内容摘要 内容摘要本书是一本半导体工艺技术的优秀教材，并不强调很深的理论和数学知识，而是重点**半导体关键加工技术概念的理解。全书共分15章，包括：半导体技术导论，集成电路工艺导论，半导体基础知识，晶圆制造、外延和衬底加工技术，半导体工艺中的加热工艺，光刻工艺，等离子体工艺技术，离子注入工艺，刻蚀工艺，化学气相沉积与电介质薄膜，金属化工艺，化学机械研磨工艺，半导体工艺整合，CMOS工艺演化，并在最后展望了半导体工艺发展的趋势。 读书笔记 读书笔记书中有一些书写符号上的错误，为读者带来不便。有的东西还是很有用的，基础知识随时可以用到，昨天看了一遍，今天就用到??。简单啃一遍，感受是哇这书都那么过时了，居然跟现在情况没差多少，框架和本质没改变，所以半导体说是高精尖高科技，但是技术都是线性变化为主可预见性强，所以行业巨头的优势应该很难打破，洗牌也很少见，高投入必有高产出。很久没碰过专业书籍了，本以为对半导体制造懂个十之七八，其实只是懂个皮毛，半导体不愧是制造业的皇冠，集量子物理化学工艺机械自动化电子计算机等技术为一体。是了解半导体制造工艺的一本好书，讲的很清楚，但是对于一些基础较差的读者还是有些吃力，我断断续续读了很久，了解了半导体制造的大概工艺，原材料，各种反应，了解到了这个先进制造行业的高精尖，不愧是现代制造业的王冠，很看好这个行业，希望我国在这方面能够强大起来，才能真正做到不会受制于人。唯一一本即使是读完了也没有读懂一半的书，需要细细的再读一遍。 精彩摘录 精彩摘录包含材料生长、晶圆制造、电路设计、无尘室技术、制造设备、测量工具、晶圆处理、晶粒测试、芯片封装和最后的芯片测试。制造半导体需要许多工艺过程，可以分成四大基本操作：添加工艺、移除工艺、图形化工艺和加热工艺。掺杂、薄膜生长和沉积属于添加工艺过程；刻蚀、清洗和抛光属于移除工艺；光刻技术是图形化工艺；而热处理、合金化和再流动步骤都属于加热工艺。注意到计算机芯片上的元器件数目几乎每12个月就增加一倍，但价格却没有改变在晶圆制造过程中，如化学气相沉积（CVD）、刻蚀、物理气相沉积（PVD）和化学机械研磨（CMP），都需要使用超高纯度以及极低粒子密度的气体确保生产的成品率技术节点被定义为密集图形的半间距所谓的分离式元器件就是一种电子元器件，如电阻器、电容器、二极管和三极管首先利用碳和石英砂在高温状态下反应生成天然硅或纯度为98%的冶金级硅（MGS）。接着将MGS磨成粉状与氯化氢反应生成液态三氯硅烷（SiHCl3，TCS），它的纯度高达99.9999999%（9个9）。 目录分析 1.1集成电路发展历史1.3小结1.2集成电路发展回顾第1章导论 1.5习题1.4参考文献第1章导论 2.1集成电路工艺简介2.2集成电路的成品率2.3无尘室技术2.4集成电路工艺间基本结构2.5集成电路测试与封装2.6集成电路未来发展趋势010302040506第2章集成电路工艺介绍 2.7小结2.9习题2.8参考文献第2章集成电路工艺介绍 3.1半导体基本概念3.3集成电路芯片3.2半导体基本元器件第3章半导体基础 3.4集成电路基本工艺3.5互补型金属氧化物晶体管3.6 2000年后半导体工艺发展趋势3.7小结3.8参考文献3.9习题010302040506第3章半导体基础 4.1简介4.3晶体结构与缺陷4.2为什么使用硅材料第4章晶圆制造 4.4晶圆生产技术4.5外延硅生长技术4.6衬底工程4.7小结4.8参考文献4.9习题010302040506第4章晶圆制造 5.1简介5.2加热工艺的硬件设备5.3氧化工艺5.4扩散工艺5.5退火过程12345第5章加热工艺 5.6高温化学气相沉积5.7快速加热工艺（RTP）系统5.8加热工艺发展趋势5.9小结5.10参考文献5.11习题010302040506第5章加热工艺 6.1简介6.2光刻胶6.3光刻工艺6.4光刻技术的发展趋势第6章光刻工艺 6.5安全性6.6小结6.7参考文献6.8习题第6章光刻工艺 7.1简介7.2等离子体基本概念7.3等离子体中的碰撞7.4等离子体参数第7章等离子体工艺 7.5离子轰击7.6直流偏压7.7等离子体工艺优点7.8等离子体增强化学气相沉积及等离子体刻蚀反应器7.9遥控等离子体工艺7.10高密度等离子体工艺010302040506第7章等离子体工艺 7.11小结7.13习题7.12参考文献第7章等离子体工艺 8.1简介8.2离子注入技术简介8.3离子注入技术硬件设备8.4离子注入