抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-07-12 发布于四川
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抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法.pdf

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本发明公开了涉及半导体的化学机械抛光技术领域的抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法。所述抛光垫具有抛光面，自抛光面圆心向外周缘方向，在抛光面上至少依次设置第一环状研磨单元群、第二环状研磨单元群和第三环状研磨单元群；所述第二环状单元群的研磨面积比＞第一环状研磨单元群的研磨面积比，第二环状单元群的研磨面积比＞第三环状研磨单元群的研磨面积比。利用本发明提供的抛光垫研磨晶片，能获得优异研磨速率、低的研磨速率不均一性和低表面缺陷的晶片。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116408722 A (43)申请公布日 2023.07.11 (21)申请号 202111634111.4 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人湖北鼎汇微电子材料有限公司地址