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一种用于纳米级氧化硅中间层蚀刻的缓冲氧化物蚀刻液.pdfVIP

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  • 2023-07-12 发布于四川
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一种用于纳米级氧化硅中间层蚀刻的缓冲氧化物蚀刻液.pdf

    本发明提供了一种用于纳米级氧化硅中间层蚀刻的缓冲氧化物蚀刻液，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂、消泡剂以及超纯水。该蚀刻液表面张力低，对纳米级孔穴有很强的钻蚀能力，保证蚀刻后孔内结构的完整性和均一性。其中表面活性剂在氢氟酸药液体系中具有良好的溶解度和分散性，且更容易在氮化硅表面形成空间位阻，腐蚀速率极低；同时表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液对氮化硅和硅的浸润性。消泡剂可以抑制蚀刻过程中气泡的产生，防止氧化层被气泡阻挡而形成氧化物残留。本发明所述的蚀刻液可满足芯片结构制造

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115232624 A (43)申请公布日 2022.10.25 (21)申请号 202210780705.4 (22)申请日 2022.07.04 (71)申请人 湖北兴福电子材料有限公司 地址 4

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