退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响.pdfVIP

016 海峡科技与产业 退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电 性能的影响 1 1 2 2 2 胡晓亮 朱宾宾 崔慧芹 王倩茹 周锋子 1.麦斯克电子材料股份有限公司，河南 洛阳 471003 2.河南科技大学物理工程学院，河南省光电储能材料与应用重点实验室，河南 洛阳 471000 摘要：采用固相反应法制备同一掺杂比例在不同退火温度下的Li 掺杂Zn O 。利用XRD 、SEM 、UV 光谱测量，探 究了不同退火温度对于Li 掺杂ZnO 缺陷及光电性能的影响。结果表明：退火温度为600 ℃时，Li 掺杂对ZnO 缺陷 及光电性能调控效果较为理想。 关键词：Li 掺杂ZnO 纳米晶；退火温度；缺陷调控；紫外光谱特性 中图分类号：TM23 文献标识码：A 0  引言 晶复合物材料，实验材料为Zn O （购买自国药集团化 学试剂有限公司）、Li O （购买自天津市科密欧化学 [1-2] 2 3 Zn O 是一种直接带隙的宽禁带半导体材料 ，室 试剂有限公司），实验材料纯度均不低于98.0% 。制 温下的禁带宽度为3.37 eV ，激子束缚能高达60 MeV ， 备的 （ZnO ） （Li CO ） 样品中x 为0.25 % 。将两 1-2x 2 3 x 由于这些特性，Zn O 在短波长发光和激光器件等方面 种粉末按比例混合后，在玛瑙研钵中加入少量酒精， [3-4] 有广泛的应用前景 。要实现这些器件必须制备出高 手动研磨2 h ，取研磨后的混合粉末约1.0 g ，在室温 质量的n-ZnO 和p-ZnO，但是由于ZnO 的自补偿效应、 采用4 MP a 的恒定压力将粉末压成表面比较光滑的圆 深受主能级以及较低的受主掺杂浓度，使得p 型Zn O 片状，压力保持约3 m in ，将样品用马弗炉进行退火 [5] 较难制备 。根据理论计算显示，IA 族元素替换Zn 形 处理，退火温度分别为200、400、600、800、1000、 成的受主能级比较低，尤其Li 元素替换Zn （Li-Zn ） 1200 ℃，保持2 h ，中止程序，使圆片样品在炉中自 所形成的受主能级仅仅为90 M eV ，这明显利于受主离 然退火。 化。同时Li+ 的离子半径与 Zn2+ 的离子半径接近，也 易于实现掺杂，因此Li 也被认为是最好的p 型掺杂元 2  结果与讨论 [6-7] 素之一 。有研究表明，摩尔分数为3% 的Li 掺杂最