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本发明涉及一种基于单片机的提升NORFLASH使用周期的方法，属于NORFLASH闪存读写技术领域。本发明为了克服现有的单片机读写NORFLASH时存在的空间利用率不高、可靠性不高的问题，将NORFLASH的空间划分为引导区和数据区，每次在数据区写入L字节的数据，均要在引导区记录一个比特位，通过引导区的比特位可以就算出在数据区读取和写入数据的位置，从而可以将NORFLASH的数据区几乎全部填满时再擦除。本发明增加了NORFLASH的空间利用率、提升NORFLASH使用寿命和可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111208950 A
(43)申请公布日
2020.05.29
(21)申请号 20201
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