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本申请提供一种半导体器件，包括衬底、光反射层以及外延层，光反射层设置于衬底上；外延层设置于光反射层远离衬底的一侧，外延层远离衬底的一面具有P型掺杂部、第一P型部和浮置扩散部，P型掺杂部与第一P型部接触设置，P型掺杂部与光反射层接触，第一P型部与光反射层间隔设置，浮置扩散部位于第一P型部中且与P型掺杂部间隔设置，以提高光转化效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435378 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310690284.0
(22)申请日 2023.06.12
(71)申请人 粤芯半导体技术股份有限公司
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