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本发明公开一种硼氮环有机源低温化学气相沉积生长大面积氮化硼的制备方法，制备出层数可控的大面积氮化硼薄层，表面光滑平整。制备过程如下。(1)采用机械抛光和电化学抛光；(2)对Ni衬底进行清洗；(3)将清洗好的Ni衬底放入腔室中；(3)待炉温降至室温后，将经过退火处理的镍衬底和多硼氮环固态、液态源放入腔室中。(4)将温度升至生长所需的低温，加热固态、液态源，调整氢气和氩气混合气体的流量，控制生长时间。（5）在镍箔（表面已生长一层氮化硼）表面旋涂一层PMMA/苯甲醚溶剂，置于真空干燥箱中（6）将镍箔去
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116426895 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310277017.0
(22)申请日 2023.03.21
(71)申请人 苏州旌晖创半导体新材料有限公司
地
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