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本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种590nm反极性LED外延片及其制备方法，该LED外延片从下往上依次生长，从GaAs衬底开始依次为第一晶格修复层、第二晶格修复层、第三晶格修复层、非掺杂阻隔层、N型GaAs缓冲层、截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光层、P侧空间层、P型限制层、P型窗口层；第一晶格修复层、第二晶格修复层、第三晶格修复层的材料都是GaAs，且均为非掺杂。本发明通过对衬底表面进行氧化腐蚀处理，去除衬底表面的氧化层，避免了现有技术中氧化层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435418 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310691542.7
(22)申请日 2023.06.13
(71)申请人 南昌凯捷半导体科技有限公司
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