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本发明提供的一种复合MPT结构的高频IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区。本发明通过微沟槽结构，将元胞尺寸缩小至2.4μm，同时在有源栅元胞中引入发射沟槽元胞，在不改变沟道长度等器件结构的基础上，通过合理分配有源栅元胞和发射沟槽元胞的比例，降低器件的米勒电容(Cres)，增大输入电容(Cies)与米勒电容(Cres)的比例，从而增加高频应用下IGBT的开通关断的可控性，提升高频表现。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435345 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310618301.X
(22)申请日 2023.05.29
(71)申请人 中国振华集团永光
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