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本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法及异质结电池,包括制备异质结电池基底,并在异质结电池基底正背面沉积透明导电薄膜层;在沉积透明导电薄膜层表面沉积金属种子层;在正面金属种子层表面印刷感光油墨,采用投影扫描曝光电池正表面制备正面掩膜;采用显影液对第二电池片中间体正面未曝光的栅线显影出栅线图形;在电池片背面及侧面采用热熔蜡进行喷墨使在背面及侧面制备掩膜;并进行电镀使电池片正背面得到铜栅线;除去第三电池片中间体正背侧面掩膜,用氧化物及稀硫酸蚀刻电镀金属种子层,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435414 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310636875.X H01L 31/18 (2006.01)
(22)申请日 2023.06.
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