晶体生长的有关问题.docx

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2023-07-19 发布于四川
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晶体生长的有关问题关于退火与热应力及位错向大家请教两个问题： 1、晶体硅在生长完成后，退火时间越长，热应力释晶体位错：位错是晶体中局部滑移区域的边界限，即是晶体中的一种线缺陷；它是打算属等晶体力学性质的根本因素，也对晶体的其他很多性质〔包括晶体生长〕有着严峻的影响。通过化学腐蚀可在晶体外表上观看到位错的露头处——腐蚀坑 1、多晶硅在生长完成后，退火阶段：1375 度下退火时间越长，热应力释放会越多，那么这样的后果导致产生的位错会越多吗？为什么？ 2、另外，位错密度越大，能说明热应力就越大吗？位错密度越大，只能说明材料的畸变越大，而不能说热应力越大啊 1.多晶铸锭,硅晶体生长速度把握