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- 2023-07-18 发布于四川
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本实用新型公开了一种多电极半导体激光器，属于激光技术领域，包括多电极半导体激光芯片和热沉；多电极半导体激光芯片包括若干个芯片区；芯片区包括芯片区正极和芯片区负极；热沉包括负极金属化层和若干个互相绝缘的正极金属化层；若干个正极金属化层与若干个芯片区的芯片区正极一一对应；若干个芯片区的芯片区负极和负极金属化层电导通；一一对应的正极金属化层和芯片区正极电导通。本实用新型的一种多电极半导体激光器，可以满足在不同电极注入大小不同的电流，不同电极对之间不会发生短路，从而实现多电极半导体激光芯片的功能，散热性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214227348 U
(45)授权公告日 2021.09.17
(21)申请号 202120235506.6
(22)申请日 2021.01.28
(73)专利权人 中国工程物理研究院应用电子学
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