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描述了在GaN再生长中减少杂质掺杂剂的各种技术。在第一种技术中，可以在再生长GaN层之前的再生长界面处形成阻挡层，例如AlN。阻挡层可以在再生长界面处掩埋杂质，并减少它们对包括器件(例如晶体管)的沟道的上面的层的影响。在第二种技术中，可以在再生GaN层之前在再生界面处形成缓冲层，例如碳掺杂的GaN层。碳可以作为受体来补偿掺杂剂，例如硅，并消除它们对上述层的电子效应。在第三种技术中，可以在GaN再生长之前进行氢烘烤处理。氢可以在再生长界面解吸GaN薄层，这是杂质浓度最高的GaN层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116457946 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202180076976.5 (51)Int.Cl .
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