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本发明提供一种三维光量子芯片模组的制备方法及三维光量子芯片模组，所述方法包括；提供一光量子芯片基底；在所述光量子芯片基底的端面沉积TiO2层，后在所述TiO2层上涂覆光刻胶形成光刻胶层；在所述光量子芯片基底上制备光量子芯片，并在所述光量子芯片基底的端面边缘的不同部位加工多个穿过所述TiO2层和光刻胶层的定位波导；根据所述定位波导的位置进行对应的电子束曝光的加工，后依次进行显影、刻蚀以在所述光量子芯片基底上形成光耦合超透镜结构。本发明解决了现有技术中三维光量子芯片的耦合效率低的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116449490 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202310722530.6
(22)申请日 2023.06.19
(71)申请人 南昌大学
地址 330000
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