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本申请涉及半导体电数字处理领域，具体涉及Nand闪存固件烧录方法，该方法包括以下步骤：接收固件代码；存储固件代码至Nand闪存的至少一个存储区中；修改存储有固件代码的存储区中所有存储块的标记状态为第一标记；生成一数据库，数据库中的记录数量等于所述Nand闪存容量；数据库的每条记录对应唯一的序位号；向数据库各个序位号对应的记录中存入Nand闪存各个存储块的地址信息和标记状态；确定存储在数据库一条记录中存储块的标记状态为第一标记时，将记录中存储块的地址信息，与随机序位号对应记录中存储块的地址信息进行
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116450537 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202310721262.6
(22)申请日 2023.06.19
(71)申请人 联和存储科技 （江苏）有限公司
地
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