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本发明涉及半导体领域，公开了一种氮化镓器件制备方法及氮化镓HEMT，所述氮化镓器件制备方法包括以下步骤：在衬底上通过化学气相沉积方式外延生长多个层，所述层间包括有源器件通道区域；对所述衬底的全局背面进行研磨；在研磨后的衬底背面的局部区域加工孔结构和/或沟槽结构，所述局部区域与所述有源器件通道区域在所述衬底的上下两侧相对；将所述衬底背面通过导电焊膏附接到封装芯片。本发明能够进一步提高氮化镓器件的散热性能，同时能够保证器件的强度，避免发生器件翘曲和破裂等问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116457921 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202380007926.0 (51)Int.Cl .
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