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- 2023-07-19 发布于四川
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描述了用于在基板上沉积非晶碳层和用于用非晶碳间隙填充来填充基板特征的方法。所述方法包括执行沉积循环,所述沉积循环包括以下步骤:将烃源引入处理腔室;将等离子体引发气体引入处理腔室;在处理腔室中在大于600℃的温度下产生等离子体;以大于200nm/小时的沉积速率在基板上形成非晶碳层;以及净化处理腔室。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116457495 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202180069575.7 (51)Int.Cl .
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