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本发明属于纳米半导体技术领域，具体涉及一种利用螺旋外延生长制备金属性二维过渡金属硫族化合物的方法，采用两步化学气相沉积法可控的螺旋外延生长金属性二维过渡金属硫族化合物，第一步以硫族粉末和金属氧化物为前驱体，氧化硅为衬底，通过倾斜衬底制备螺旋生长的半导体性二维过渡金属硫族化合物；第二步以螺旋生长的半导体性二维过渡金属硫族化合物为衬底，以硫族粉末、金属氧化物和金属粉末为源材料，在螺旋结构上外延生长金属性二维过渡金属硫族化合物。该方法操作简单、重复性高、可控性强，制备出的金属性二维过渡金属硫族化合物具
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116445887 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202310730128.2 B82Y 30/00 (2011.01)
(22)申请日 2023.06.
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