隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器.pdfVIP

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  • 2023-07-20 发布于四川
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隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器.pdf

TMR元件具备:设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层,基底层具有应力缓和部,磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层,层间绝缘层包含绝缘材料。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109937475 A (43)申请公布日 2019.06.25 (21)申请号 20178

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