新型光电子材料.pptVIP

? 加洲大学伯克利的Johnson等利用镍催化剂和V-L-S方法，通过金属镓和氨在900?C蓝宝石衬底上直接反应，合成了直径在几十到几百纳米之间，长达数十微米的GaN纳米量子线。 ? 四倍频光参量放大器（波长290-400nm，平均功率5-10mW）用作泵浦激光器, 在被泵的单个GaN单晶纳米线（直径约300纳米，长约40微米）的两端观察到了蓝、紫激光发射。 ? 激射波长随泵浦功率增加的红移，支持高温下电子-空穴等离子体是GaN主要的激射机制观点。 2.5 纳米半导体材料与量子器件 * * 第三十页，共四十二页，2022年，8月28日 新型光电子材料 * * 第一页，共四十二页，2022年，8月28日 一、引言：21世纪是高度信息化的社会 ? 超大容量信息传输、超快实时信息处理和超高密度信息存储是21世纪信息社会追求的目标，发展信息功能材料是基础。 ? 主要介绍近年来光电信息功能材料，特别是半导体微电子、光电子材料,半导体纳米结构和量子器件等的研究进展。 * * 第二页，共四十二页，2022年，8月28日 2.1 硅微电子技术发展趋势 硅（Si）材料作为当前微电子技术的基础，预计到本世纪中叶都不会改变。 从提高硅集成电路（ICs）性能价格比来看，增大直拉硅单晶的直径，仍是今后硅单晶发展的大趋势。硅ICs工艺由8英寸向12英寸的过渡将在近年内完成。预计2016年