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- 2023-07-20 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，用于形成晶体管，基底包括用于形成源区的第一区域和用于形成漏区的第二区域，以及位于第一区域和第二区域之间的预设区域；在基底上形成覆盖在预设区域的伪栅结构；对所述第一区域和第二区域进行掺杂，分别对应形成源区和漏区；在所述伪栅结构两侧形成覆盖所述源区和漏区的层间介质层；去除所述伪栅结构，在所述层间介质层中形成栅极开口；对所述栅极开口进行填充，形成初始栅极结构；去除与所述漏区相邻的部分宽度的所述初始栅极结构，剩余初始栅极结构作为栅极，所述栅极与层间介质
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113539825 A
(43)申请公布日
2021.10.22
(21)申请号 20201
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