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本实用新型公开了一种沟槽栅超结器件和具有其的电子装置，沟槽栅超结器件包括：第一导电类型的衬底层；第一导电类型的外延层，所述外延层位于所述衬底层上；沟槽栅结构，所述沟槽栅结构在所述外延层上并沿器件纵向延伸至所述外延层内；沿器件横向在所述沟槽栅结构的两侧分别排布有第一导电类型的第一超结柱体、第二导电类型的第二超结柱体和第一导电类型的外延柱体，所述第一超结柱体、所述第二超结柱体和所述外延柱体均位于所述外延层上。本实用新型的沟槽栅超结器件，采用第一超结柱体、第二超结柱体和外延柱体结构，利于电荷平衡，提高
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219371032 U
(45)授权公告日 2023.07.18
(21)申请号 202320073381.0
(22)申请日 2023.01.10
(73)专利权人 比亚迪半导体股份有限公司
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