原创力文档- 0
- 0
- 约8.14千字
- 约 6页
- 2023-07-20 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种周期栅结构的p‑GaN常闭型功率器件。所述器件自下而上包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层以及势垒层；势垒层上方设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有形成于势垒层上的周期性p‑GaN/InGaN层，栅极设置于周期性p‑GaN/InGaN层上。周期性p‑GaN/InGaN层自下至上周期分布有多层低铟组分的InbGa1‑bN层和高铟组分的InaGa1‑aN层，且相邻的低铟组分的InbGa1‑bN层和高铟组分的InaGa1‑aN层之间均设置有p‑GaN层。本发明可以有效地提高p‑G
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114122107 A
(43)申请公布日 2022.03.01
(21)申请号 202111264534.1
(22)申请日 2021.10.28
(71)申请人 华南理工大学
地址
文档评论（0）