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本实用新型公开了一种用于生长碳化硅单晶的热场，包括保温筒、设于保温筒中的坩埚、设于保温筒中的且沿上下方向间隔排列的上加热器和下加热器、设于保温筒中的且用于隔开上加热器和下加热器的隔热板；下加热器包括环设于坩埚外侧的下周侧部、盖设于坩埚底部的下底部，上加热器包括盖设于坩埚顶部的上顶部，下周侧部、下底部和上顶部分别与坩埚间隔排列；隔热板为环形，隔热板的内径小于下周侧部的内径。本实用新型用于生长碳化硅单晶的热场，能够实现碳化硅单晶生长工艺要求的加热温度和温度梯度，提高碳化硅单晶的生长速度和生长品质。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219363861 U
(45)授权公告日 2023.07.18
(21)申请号 202320573714.6
(22)申请日 2023.03.22
(73)专利权人 江苏星特亮科技有限公司
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