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电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备.pdfVIP

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  • 2023-07-21 发布于四川
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电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备.pdf

    本实用新型公开了一种电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备，包括：电化学刻蚀装置，包括盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极，所述工作电极包括待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层；真空装置，包括真空腔室，至少所述反应槽设置在所述真空腔室内，当发生刻蚀反应时，所述反应槽内的液面两侧能够产生压差，所述压差能够驱使所述反应槽内的气体快速逸出牺牲层。本实用新型提供的设备，结构简单，使用方便；实用新型实施例提供的一种电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214279927 U (45)授权公告日 2021.09.24 (21)申请号 202120643022.5 (22)申请日 2021.03.30 (73)专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米

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