一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺.pdfVIP

一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺.pdf

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本发明公开了一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺,该射频天线线圈数为2.5‑3.5圈,其圈径平均环绕直径为58mm;该内置射频天线的涂层为搪瓷结构,当该搪瓷结构同时满足涂层厚度为0.6‑0.7mm毫米、相对介电常数小于30、涂层电阻率大于45000Ω.cm的条件时,翘层电压逼近于0;该工艺方法包括:制作片状瓷釉;覆盖层浸搪;对具有覆盖层的铜胎天线进行烘干;烧制成品;将烘干的覆盖有釉料的铜胎天线放入熔烧炉中进行烧制,保温;取出成品,冷却至常温。重复(2)到(4)步骤,直至釉料层的厚度达到

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116470264 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310396901.6 H05H 13/00 (2006.01) (22)申请日 2023.04.

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