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电力电子技术复习 1 （见教材后习题） 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 I  ，试计算各 d1波形的电流平均值 I d1 I I 、、d2 d3 、 、 m 1、、。2 3与电流有效值 1 、 、 。 2 3 d1上题中如果不考虑安全裕量，问 100A 的晶闸管能送出的平均电流 I d1 I I 、、d2 d3 、 、 各为多少？ m1这时，相应的电流最大值 I m1 I I 、、m2 m3 、 、 各为多少？ GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构，为什么 GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？ 如何防止电力 MOSFET 因静电感应引起的损坏？ 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析 RCD 缓冲电路中各元件的作用。 试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 28.单相半波可控整流电路对电感负载供电，L=20mH，U =100V，求当α =0°和 60°时的负载 2 dd与d电流 I ，并画出 u i 波形。 d d 与 d 29.单相桥式全控整流电路，U =100V，负载中 R=2Ω ，L 值极大，当α =30°时，要求： 2 d、和d2①作出 u i i 的波形； d 、 和 d 2 d②求整流输出平均电压 U d 、电流 I ，变压器二次电流有效值 I ； d2③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。 d 2 210.单相桥式全控整流电路，U =100V，负载中 R=2Ω ，L 值极大，反电动势 E=60V，当α =30° 时，要求： 2 d、和d2①作出 u i i 的波形； d 、 和 d 2 d②求整流输出平均电压 U d 、电流 I ，变压器二次电流有效值 I ； d2③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。 d 2 1、2211.晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT VT 为晶闸管），电路如图，U =100V，电阻电感负 1 、 2 2 d载，R=2Ω ，L 值很大，当α =60°时求流过器件电流的有效值，并作出u d 、id 、iVT、iVD 的流 形。 212.三相半波可控整流电路，U =100V，带电阻电感负载，R=5Ω ，L 值极大，当α =60°时， 要求： 2 d①画出 u d i i 、和d VT 、 和 的波形； ②计算 U 、I 、I 和 I 。 d d dVT VT 213.三相桥式全控整流电路，U =100V，带电阻电感负载，R=5Ω ，L 值极大，当α =60°时， 2 要求： d①画出 u d  、和i i 、 和 d VT1  的波形； ②计算 U 、I 、I 和 I 。 d d dVT VT B单相全控桥，反电动势阻感负载，R=1Ω ，L=∞，E=40V，U2=100V，L B =0.5mH，当α =60° d、dBd时求 U I 与γ 的数值，并画出整流电压 u 的波形。 d 、 d B d 2、dd三相半波可控整流电路，反电动势阻感负载，U 2 、 d d =100V，R=1Ω ，L=∞，L =1mH，求当α d=30°时、E=50V 时 U d I 、γ 的值并作出 u 与 iVT1 和 iVT2 的波形。 2B16.三相全控桥，反电动势阻感负载，E=200V，R=1Ω ，L=∞，U =220V，α =60°,当①L =0 2 B Bd、dd和②L =1mH 情况下分别求 U I 的值，后者还应求γ 并分别作出 u 与 iVT 的波形。 B d 、 d d 带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同？ 整流电路多重化的主要目的是什么？ 使变流器工作于有源逆变状态的重要条件是什么？ 三相全控桥变流器，反电动势阻感负载，R=1Ω ，L=∞，U2=220V，LB=1mH，当 EM=-400V， β =60°时求 Ud、Id 与γ 的值，此时送回电网的有功功率是多少？ 单相全控桥变流器，反电动势阻感负载，R=1Ω ，L=∞，U2=100V，LB=0.5mH，当 EM=-99V， β =60°时求 Ud、Id 和γ 的值。 什么是逆变失败？如何防止逆变失败？ 单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时， 晶闸管的α 角移相范围分别是多少？ 在图所示的降压斩波电路中，已知E=220V，R=10Ω ，L 值极大，EM=30V。采用脉宽调制 oo控制方式，当 T=50μ s，ton=20μ s 时，计算输出电压平均值 U 、输出电流平均值 I 。 o o 在图所示的降压斩波电路中， E=100V，L=1mH，R=0.5Ω ，E