场效应管放大器...pptVIP

场效应管放大器; §3.1 结型场效应管（JFET）;;2. 工作原理（以N沟道管为例）;| vGS|?? ， vGS= VP。沟道被夹断。见图3－4。;? 令vGS=0，看iD和vDS的关系;b. vDS?，沟道电场强 度?（以这为主） ? iD? ;c. vDS?? ，两边耗尽层在A点相遇，称为预夹断，;d. vDS??? ，;? 要使iD减少，须加负的vGS。;3. JFET的特性曲线及参数;? 转移特性;c. 在饱和区内，VP ? vGS ? 0时，iD和vGS的关系是：;4. 主要参数;? 跨导gm;? 输出电阻 rd; §3.2 绝缘栅场效应管（MOSFET）;s;2. 工作原理;vGS0，排斥空穴，吸引电子到半导体表面;s;s;? vDS并不能控制iD。;3. 特性曲线;归纳：;二、耗尽型绝缘栅场效应管的特点（N沟道）;2. 工作原理;vGS(V);4. 耗尽型MOSFET和JFET比较; §3.3 场效应管放大器（以N沟耗尽型MOSFET为例）;可求得VGS、ID;? 分压式自偏压电路;2. 图解法求Q点;? 求得Q点所对应的值：;二、场效应管放大器的微变等效电路分析法;用相量表示;图3－16;要求不高的场合可用简化模型;2. 场效应管放大电路分析;? 微变等效电路如(b)图;例3－1 求下图的;解：(1) 画简化微变等效电路;(2);例3－2 求共漏极电路的;(1) 微变等效电路;?;例3－3 源极输出器电路如图所示。已知场效应管工作点上的互导gm=0.9mS，其它参数如图中所示。求放大倍数 、输入电阻Ri和输出电阻Ro。;解：;例3－4 一场效应管和双极型晶体管直接耦合的放大电路如图，已知T1的gm=1mS， T2的?=50， rbe=1k。信号源电压 =10mV，求输出电压 ，输入电阻Ri和输出电阻Ro。;解：场效应管放大器; §3.1 结型场效应管（JFET）;;2. 工作原理（以N沟道管为例）;| vGS|?? ， vGS= VP。沟道被夹断。见图3－4。;? 令vGS=0，看iD和vDS的关系;b. vDS?，沟道电场强 度?（以这为主） ? iD? ;c. vDS?? ，两边耗尽层在A点相遇，称为预夹断，;d. vDS??? ，;? 要使iD减少，须加负的vGS。;3. JFET的特性曲线及参数;? 转移特性;c. 在饱和区内，VP ? vGS ? 0时，iD和vGS的关系是：;4. 主要参数;? 跨导gm;? 输出电阻 rd; §3.2 绝缘栅场效应管（MOSFET）;s;2. 工作原理;vGS0，排斥空穴，吸引电子到半导体表面;s;s;? vDS并不能控制iD。;3. 特性曲线;归纳：;二、耗尽型绝缘栅场效应管的特点（N沟道）;2. 工作原理;vGS(V);4. 耗尽型MOSFET和JFET比较; §3.3 场效应管放大器（以N沟耗尽型MOSFET为例）;可求得VGS、ID;? 分压式自偏压电路;2. 图解法求Q点;? 求得Q点所对应的值：;二、场效应管放大器的微变等效电路分析法;用相量表示;图3－16;要求不高的场合可用简化模型;2. 场效应管放大电路分析;? 微变等效电路如(b)图;例3－1 求下图的;解：(1) 画简化微变等效电路;(2);例3－2 求共漏极电路的;(1) 微变等效电路;?;例3－3 源极输出器电路如图所示。已知场效应管工作点上的互导gm=0.9mS，其它参数如图中所示。求放大倍数 、输入电阻Ri和输出电阻Ro。;解：;例3－4 一场效应管和双极型晶体管直接耦合的放大电路如图，已知T1的gm=1mS， T2的?=50， rbe=1k。信号源电压 =10mV，求输出电压 ，输入电阻Ri和输出电阻Ro。;解：