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晶体管及其制造方法、存储器、电子设备.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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晶体管及其制造方法、存储器、电子设备.pdf

    本公开涉及半导体技术领域，具体是关于一种晶体管及其制造方法、存储器、电子设备，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底的第一面内具有预设区域；在所述预设区域上形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽形成源区，在所述第二沟槽形成漏区，生长半导体材料覆盖所述预设区域，以同时在所述第一沟槽形成源区，在所述第二沟槽形成漏区，在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间形成沟道区。能够减少晶体管的缺陷，提高良品率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116487261 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202210038472.0 (22)申请日 2022.01.13 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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