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半导体结构及半导体结构的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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半导体结构及半导体结构的制造方法.pdf

    本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括：衬底，衬底上包括多个间隔分布的下电极柱；介质层，介质层至少部分覆盖下电极柱的侧壁；第一上电极，第一上电极覆盖在介质层的表面；第一支撑层，第一支撑层位于多个下电极柱、介质层和第一上电极的上方，第一支撑层至少暴露部分第一上电极的外围区域。通过在下电极柱的顶端形成第一支撑层，且第一支撑层可以连接多个下电极柱、介质层以及第一上电极，从而可以使得第一支撑层形成对多个下电极柱的支撑，避免下电极柱出现倾倒，从而可以保证下电极

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116490060 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202210038475.4 (22)申请日 2022.01.13 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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