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本发明涉及一种高载流子复合高出光的深紫外LED及其制备方法，包括依次层叠的缓冲层、电子注入层、MQW有源区发光层、电子阻挡层、空穴注入层以及复合透明导电层，MQW有源区发光层的单个周期结构由依次层叠的第一子量子垒层、量子阱层和第二子量子垒层组成，第一子量子垒层为Al组分逐渐增大的AlInGaN层，第二子量子垒层为Al组分逐渐减小的AlInGaN层，量子阱层为i型AlInGaN层，量子垒层和量子阱层之间构成类nip结；复合透明导电层包括依次层叠的宽带隙半导体超晶格结构欧姆接触层、金属氧化物功函数调
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116487492 A
(43)申请公布日 2023.07.25
(21)申请号 202310535410.5
(22)申请日 2023.05.12
(71)申请人 华南师范大学
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