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半导体结构及半导体结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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半导体结构及半导体结构的制备方法.pdf

    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：基底，基底内具有沿第一方向延伸的位线；有源柱，有源柱位于位线上，有源柱的底面与位线相接触且有源柱内掺杂有N型元素；反型区，反型区位于有源柱的侧面，反型区内掺杂有P型元素；介电层以及沿第二方向延伸的字线，介电层以及字线包覆部分反型区，介电层位于字线与反型区之间，至少有利于简化工艺并提高存储密度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116489989 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202210038578.0 (22)申请日 2022.01.13 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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