DB32_T 2902-2016大花蕙兰组织培养技术规程.pdfVIP

ICS 65.020.20 B05 备案号：49031-2016 DB32 江 苏 省 地 方 标 准 DB32/T 2902-2016 大花蕙兰组织培养技术规程 Technical regulation for rapid propagation in vivo of Cymbidium hybrid 2016 - 03 - 10 发布 2016 - 04 - 10 实施 江苏省质量技术监督局 发 布 DB32/T 2902-2016 大花蕙兰组织培养技术规程 1 范围 本标准规定了大花蕙兰组织培养技术要求。 本标准适用于大花蕙兰的组培快繁。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版 本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 3 母株选择 选择具该品种典型性状、生长健壮且无病虫害的母株。 4 外植体 4.1 选择 剪取长度5cm～8cm 的幼芽。 4.2 消毒 在洗涤剂溶液中振荡洗涤20min 后，在无菌条件下切去芽的上半段，剥去最外层的（1～2 ）枚叶， 在 95 ％酒精中浸泡30s，再剥去（2～3 ）片叶，露出顶芽和侧芽。用 0.2 ％的升汞浸泡 15min～20min 后，无菌水冲洗（6～8 ）次，吸水纸吸干表面水分。在1％次氯酸钠中浸泡1min 后取出，无菌水冲洗 约10min。 5 原球茎诱导 诱导培养基：MS+NAA 0.2mg/L+6-BA2.0 mg/L+活性炭0.5 g/L，pH5.8 。将顶芽和侧芽在75 ％酒精 中浸泡15s，无菌水冲洗数次，切成小块，放入诱导培养基。培养温度为（25±1 ）℃，光照强度为1500 lx ~2000 lx，光照时间为12h～15h。待幼苗长至3cm～4cm 时，切除顶部苗，将原球茎纵切成3mm～ 4mm 厚的薄片，将薄片切面向下放入诱导培养基中培养。 6 继代增殖 继代培养基：1/2MS+NAA 0.1mg/L+6-BA 1.0 mg/L+活性碳0.5 g/L，pH5.8 。将原球茎去芽后接种于 继代培养基。培养温度为（25±1 ）℃，光照强度为1500 lx ~3000 lx，光照时间为12h～15h。40d～50d 后继代1 次。 7 生根培养 1 DB32/T 2902-2016 生根培养基：1/2MS+NAA 1.0mg/L，GA3 1.0 mg/L+活性碳1.0g/L，pH5.6 。当继代苗长至2cm～4cm 高时切下接种到生根培养基，培养温度为25℃，光照强度为3000 lx ~5000 lx，光照时间为12h～13h。 8 炼苗 当生根苗的不定根长至1.2cm 左右，将组培瓶从培养室取出，在缓冲间驯化3d～5d 后移入温室， 遮荫60%，10d～15d 后从瓶中取出，洗净根部培养基后用40%多菌灵可湿性粉剂（500～800）倍液浸 泡20min 。 9 移栽 9.1 基质 将干白苔藓放入多菌灵 1000 倍液中浸泡半天，取出甩干。 9.2 容器 采用圆形口、尖底的5cm×11cm 穴盘。旧穴盘需消毒后才可使用。 9.3 方法 将白苔藓整理成条状，裹住假鳞茎和根系，卷成球状，根部向下压入穴盘。 10 移栽后管理 放置于温度18℃～28 ℃，光照5000 lx 左右，湿度70 ％～85％的环境中。每7d～10d 喷1 次多菌灵 1000 倍液。1