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多芯片并联的半桥型IGBT模块.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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多芯片并联的半桥型IGBT模块.pdf

    本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本模块能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209896059 U (45)授权公告日 2020.01.03 (21)申请号 20192

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