传感器章磁敏传感器.pptVIP

磁敏二极管的伏安特性 在给定磁场情况下，磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流的关系曲线。 在一定条件下，磁敏二极管的输出电压的变化量?U与外加磁场的关系 磁敏二极管的磁电特性： 第二十九页，共三十六页，2022年，8月28日 磁敏二极管的磁电特性 互补使用时，正、反向磁灵敏度曲线对称，且在弱磁场下有较好的线性。 第三十页，共三十六页，2022年，8月28日 传感器技术及应用 磁敏传感器 磁敏电阻 工作原理-磁阻效应 影响磁阻效应的因素 材料 磁敏电阻的形状 灵敏度与形状 几何磁阻效应 栅格磁阻器件 应用： 磁阻效应角度传感器 磁敏二极管(SMD) 第一页，共三十六页，2022年，8月28日 一、霍尔元件 霍尔电压形成的定性说明 (a)磁场为0时，电子在半导体中的流动; (b)磁场不为0，电子在劳伦兹力作用下发生偏转; (c)电荷积累达到平衡时,电子在流动 第二页，共三十六页，2022年，8月28日 二、 磁敏电阻 磁敏电阻是一种电阻随磁场而变化的磁敏元件，也称MR元件。它的理论基础为磁电阻效应。 1、工作原理 磁电阻效应： 将载流导体（金属或半导体）置于外磁场中，不但产生霍尔效应（电势或电场），同时电阻也会随磁场而变化。这种现象成为磁敏电阻效应，简称磁电阻效应。 第三页，共三十六页，2022年，8月28日 2. 作用机理 外磁场改变了导体载流子迁移的路径，致使与外界电场同方向的电流分量减小，等价于电阻增大 磁敏元件 载流子迁移率 几何形状 物理磁阻效应 几何磁阻效应 电阻率相对变化 电阻相对变化 第四页，共三十六页，2022年，8月28日 （1）物理磁阻效应 具有两种载流子的材料通电后，电子和空穴电流密度分别为 jn 和jp ，总电流密度j 无外磁场H时，j=jn + jp 有外磁场H时， jn 与 jp 背向偏转 j jn + jp 相当于?增大 第五页，共三十六页，2022年，8月28日 磁敏电阻材料 当材料中仅存在一种载流子时，磁阻效应几乎可以忽略，此时霍尔效应更为强烈。在电子和空穴都存在的材料（如InSb）中，则磁阻效应很强。 一般使用N型InSb(锑化铟)和InSb―NiSb半导体材料做成磁阻器件。 第六页，共三十六页，2022年，8月28日 （2）几何磁阻效应 无外磁场时，电流密度矢量j与电场一致 有外磁场时，j与合成电场方向有一夹角? 在电极处，合成电场E与金属电极面垂直 在极板附近 j 出现偏角 ? 只在电极附近偏转 第七页，共三十六页，2022年，8月28日 增大磁阻效应途径： 缩短电流路径l，增大电极长度w，减薄磁阻材料d （a）用薄膜技术制作在基片上，典型厚度是20μm, （b）矩形磁阻元件，横向宽度w 比纵向长度 l 大40倍, （c） 把W l 的扁平器件串联起来——栅格磁阻器件。 第八页，共三十六页，2022年，8月28日 科比诺圆盘 中心和边缘为两电极 不存在横向霍尔电场和电势 磁敏电阻变化更加明显 第九页，共三十六页，2022年，8月28日 栅格磁阻器件 在LW长方形磁阻材料上面制作许多平行等间距的金属条（即短路栅格）， 相当于许多扁条状磁阻串联。 零磁场电阻约100Ω,栅格金属条在100根以上。 栅格磁阻器件既增加了零磁场电阻值、又提高了磁阻器件的灵敏度。 L B I L B I B I 第十页，共三十六页，2022年，8月28日 磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度影响较大；因此，使用磁敏电阻时．必须首先了解如下图所示的持性曲线。然后，确定温度补偿方案。 磁阻元件的电阻值与磁场的极性无关，它只随磁场强度的增加而增加 磁阻元件的温度特性不好，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。 第十一页，共三十六页，2022年，8月28日 4、磁阻式传感器应用——磁阻效应角度传感器 测量原理——输出电压与磁场角度成正比 由于电阻没有极性，仅与磁场强度的绝对值成正比， 磁极每转动180度，某个位置上的磁敏电阻阻值变化一周期， 相对180度布置的两磁敏电阻a和d同步变化＋?R 与a，d相差90度布置的磁敏电阻b，c变化周期差180度， 即b，c与a，d正好反相－?R 第十二页，共三十六页，2022年，8月28日 磁阻式传感器应用——磁阻效应角度传感器 将相间90度布置的四个磁敏电阻接入电桥电路， 传感器每相对磁极转动180度，输出电压变化一个周期。 第十三页，共三十六页，2022年，8月28日 UZZ900信号调理芯片 KMZ41型传感器：内含8个MR形成两组电桥 第十四页，共三十六页，2022年，8月28日 两组磁敏电阻相对磁场布置相差45度，磁阻变化相位差90度 两组电桥的输出电压相位相差90度 KMZ41型传感器：可以实现辨向功能 第十五页，共三十六