高中物理人教课标版选修3-1第12讲　带电粒子在复合场中的运动 公开课公开课.pptxVIP

第12讲带电粒子在复合场中的运动知识方法整合1.2019·4月,232.2020·1月,223.2020·7月,224.2021·1月,225.2021·6月,22选考题型突破题型1　带电粒子在组合场中的运动 真 题 再 现1.(10分)[2021·浙江1月选考] 在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序.如图12-1所示是离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,然后通过磁分析器,选择出特定比荷的离子,经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆(硅片).速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外;速度选择器和偏转系统中的匀强电场场强大小均为E,方向分别为竖直向上和垂直纸面向外.选考题型突破?磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔;偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一边长为L的正方体,其底面与晶圆所在水平面平行,间距也为L.当偏转系统不加电场及磁场时,离子恰好竖直注入到晶圆上的O点(即图中坐标原点,x轴垂直纸面向外).整个系统置于真空中,不计离子重力,打在晶圆上的离子经过电场和磁场偏转的角度都很小.当α很小时,有sin α≈tan α≈α,cos α≈1-α2.求:(1)离子通过速度选择器后的速度大小v和磁分析器选择出来离子的比荷;图12-1选考题型突破?[答案]　[解析]