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理解功率MOSFET的UlS及雪崩能量 万代半导体元件上海有限公司 刘松 葛小荣 在功率MOSFET的数据表中，通 率将使器件 的温度升高，器件 的失效电 容，因此，在D导通续流时，电感L和 常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩 电流 流 由其达到的峰值温度所决定。如果器 C。。形成谐振 回路 ，L的电流降低使C。s IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数， 件足够牢靠，温度不超过最高的允许结 上的电压上升，直到电感的电流为0， 而许多电子工程师在设计电源系统的过 温，就可以维持测量。在此过程 内，结 D自然关断，L中储存的能量应该全部 程中，很少考虑到达些参数与电源系统 温通常从25℃增)／N~]IT ，外部环境 转换到CnS中。 的应用有什么样的联系，如何在实际的 温度恒定为25℃，电流通常设定在I的 如果电感L为0．1mH，Is=10A， 应用中评定这些参数对其的影响，以及 60％。雪崩电压V 大约为1．3倍器件额 CIs=lnF，理论上 ，电压VI