JBT 7826.3-1996MTS(MFS)系列晶闸管单相桥模块.pdf

JB/T7826.3—1996本标准是为适应晶闸管模块的生产、开发和应用积极采用国际际准而制定的，本标准的技术要求和参数指标采用国外同类产品的一般水平。本标准检验项目的设置，根据晶闸管模块的性能要求，参照国家标准GB4940《普通晶闸管》并作了部分增减。本标准采用的测试方法，除按JB/T7625—94《晶闸管模块测试方法》外，有关分立器件的测试方法按GB4024《半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法》执行。为确保晶闸管模块的产品质量，本标准规定了每半年至少作一批温度变化检验。本标准的附录A、附录B都是标准的附录。本标准由机械工业部西安电力电子技术研究所提出并归口。本标准起草单位：扬州四菱电子有限公司、无锡无线电元件五厂、北京椿树整流器厂、襄樊仪表元件厂、阜新晶体管厂。本标准起草人孙福民戴永祥郭兰琼黄益富董大勇时俭新查满荣 中华人民共和国机械行业标准JB/T7826.3-1996MTS（MFS）系列晶闸管三相桥模块1范围本标准规定MTS（MFS）系列晶闸管三相桥模块的外形尺寸、技术要求、检验规则以及包装、贮运。...本标准适用于由六个普通晶闸管管芯或三个普通晶闸管管芯和三个普通整流管管芯构成的三相桥模块（以下简称模块）。2引用标准下列标准包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本均为有效，所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB2423.4+-81·电工电子产品基本环境试验规程试验Db：交变湿热试验方法GB4024-83.。半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法GB4937-85半导体分立器件机械和气候试验方法GB4938—半导体分立器件接收和可靠性85JB/T242391·电力半导体器件型号命名方法·JB/T6306-92电力半导体模块外形尺寸JB/T762594晶闸管模块测试方法3形式、尺寸3.1电联结型式本G3TGsG.7G/.G4G,G21MTSMFSiMFS23.2型号说明MT(F)SX--XXVDRM（VRRM）级数平均输出电流值（单位：A）三相桥代号（S）及序号）晶闸管（晶闸管和整流管混合）模块1997-01-01实施机械工业部1996—09-03批准38 JB/T7826.3-19963.3外形尺寸外形尺寸应符合JB/T6306的3.3。4额定值和特性值4.1参数级别4.1.1断态重复峰值电压（VDRM）和反向重复峰值电压（VRRM）的级数按表1.规定（电压、电流均为单个管芯的数值，以下同）。VVDRMVRRMO200:300400500600700级数：25:67VDRMVRRM800-006.1000120014001600数.89.12.1416通态电流临界上升率（di/dt）的级别按表2规定4. 1. 2表：2.A/usdi/dt2550100150200300500级别ABDG4.1.3断态电压临界上升率（dv/dt）的级别按表3规定表3V/μsdv/dt2550100200-5008001000级ABCDEFG4.2额定值最大额定值（极限值）应符合表4规定，并适用于整个工作温度范围。表4通态通态（正通态电（正向浪涌断态、反断态、反向输出外壳门极平工作贮存向)平均绝缘门极峰流临界紧固12t向重复不重复峰电流方均根.电流。最高质量均功率温度电压值功率电流上升率力矩峰值电压值电压电流：温度.ITSMIT(AV)IT(RMS)VDRMVDSMIodi/dtIF(AV)IFSMVRRMVRSMTotgVisoPGMMTe(RMS)mAAA.AAsA/us.v.v.ic公VN·m℃g25812/810234VpSM-1.11VDRM4014221761105519240061200由由制造厂给40由7024290制制造厂给903048°384ALB造4200.52500厂11036456580A.B0.5VRSM.B1.11VR125.12544560960出年70.28160546881620A.B.C28200661058403300A、B、C2839 JB/T7826.3-19964.3特性值应符合表5规定表5断态、反出通态正向持门极触门极触门极不触 断态电压模块结桥臂结输通态正向维擎住向重复峰流发电流发电压临界上升率壳热阻壳热阻流平均电流峰值电压电电览发电压电值电流ITAV)IDRMVTM10ILVCTVGDdv/dtRMioRieVrMIRRMmAmAmAAVV/μusC/WC/WAAVmA258.50.451.30A~F0.401.2040140.351.055519由制造241.8101501500.300.907030厂给出≥0.20.260.7890B~G110360.220.66上限值0.18440