第四章场效应管放大电路.pptVIP

图4-15 根据场效应管的特性曲线求gm 第二十九页，共五十六页，2022年，8月28日 2. 极间电容 场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小, 则管子的高频性能愈好。 一般为几个pF。 第三十页，共五十六页，2022年，8月28日 4.3.3 极限参数 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、UDS有如下关系: 这部分功率将转化为热能, 使管子的温度升高。PDm决定于场效应管允许的最高温升。  2.漏、源间击穿电压BUDS 在场效应管输出特性曲线上, 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。 第三十一页，共五十六页，2022年，8月28日  3. 栅源间击穿电压BUGS 结型场效应管正常工作时, 栅、源之间的PN结处于反向偏置状态, 若UGS过高, PN结将被击穿。  对于MOS场效应管, 由于栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层, 当UGS过高时, 可能将SiO2绝缘层击穿, 使栅极与衬底发生短路。这种击穿不同于PN结击穿, 而和电容器击穿的情况类似, 属于破坏性击穿, 即栅、 源间发生击穿, MOS管立即被损坏。  第三十二页，共