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第二章 基本放大电路 2.6 场效应管及其放大电路 第二章 基本放大电路 场效应管及其放大电路改 第一页，共二十九页，2022年，8月28日 2.6.1 场效应管FET（以N沟道为例） 晶体管——双极性管；电流控制器件；Ri不高（iB≠0） 场效应管——单极性管；电压控制器件；iG→0,Ri=107～1012Ω。 FET——结型、绝缘栅型（MOS） 1.结型场效应管(JFET)——N沟道、P沟道 导电沟道 (N沟道多子为电子) 源极 栅极 漏极 (b)N沟道结构示意图 2.6 场效应管及其放大电路 (a) 符号 有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c. 第二页，共二十九页，2022年，8月28日 （1）uDS=0,uGS对导电沟道的控制作用 (a)uGS=0 沟道最宽 |uGS|增大 沟道变窄,Rds↑ |uGS|=UGS(off) 沟道消失(夹断),Rds=∞ uGS可以改变耗尽层宽度，控制导电沟道的宽度，即uGS可以改变沟道电阻Rds的大小。 夹断 电压 工作原理 第三页，共二十九页，2022年，8月28日 （2）转移特性——uGS对iD控制作用 (UGS（off）uGS0) (a) uGS =0，沟道最宽，iD=IDSS最大； 漏极饱和电流 夹断电压 ① 不同型号的管子UGS（off）、