一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdfVIP

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2023-07-29 发布于四川
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一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，该发光二极管外延片包括包括衬底，所述发光二极管外延片还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层以及复合P型接触层；所述复合P型接触层包括依次层叠的BGaMgN层、BMgN层、BInMg层以及InMgN层，所述BGaMgN层设于所述P型半导体层之上，本发明能够解决现有技术中P型接触层重掺杂Mg，活化Mg的浓度低导致接触电阻高，并且易吸收发光二极管的发出的光，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504896 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310783433.8 (22)申请日 2023.06.29 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 3