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- 2023-07-29 发布于四川
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本申请实施例提供了一种硅电容装置及其制备方法。硅电容装置包括：基板；堆叠电容，形成在所述基板之上，所述堆叠电容包括多层堆叠的电容单元且相邻层的电容单元之间绝缘；其中，堆叠电容的各层电容单元的上极板通过上极板打线连接，堆叠电容的各层电容单元的下极板通过下极板打线连接。本申请实施例提供了一种硅电容装置及其制备方法，以解决传统的硅电容装置由于采用TSV技术实现硅电容垂直互联，导致制备工艺复杂，硅电容装置的成本较高的技术问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116507197 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202210636691.9
(22)申请日 2022.06.07
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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