一种环氧塑封料芯片保护薄膜及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-29 发布于四川
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一种环氧塑封料芯片保护薄膜及其制备方法.pdf

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本申请涉及一种环氧塑封料芯片保护薄膜及其制备方法，涉及电子芯片保护薄膜领域，所述薄膜包括以下成分：环氧树脂和炭黑，所述炭黑的明暗度L值为36‑40。该薄膜以环氧树脂作为主体树脂，使芯片保护薄膜具有薄膜的特性：如具有延伸性、韧性、黏性等，再通过明暗度L值为36‑40的炭黑提高其光泽度，该L值的炭黑具有黑度高、反射率高的特点，其流平性、分散性好，可提高膜材的镜面效果，从而提高光泽度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115851080 A (43)申请公布日 2023.03.28 (21)申请号 202211662014.0 (22)申请日 2022.12.23 (71)申请人武汉市三选科技有限公司地址 43