原创力文档- 3
- 0
- 约1.32万字
- 约 12页
- 2023-07-29 发布于四川
- 举报
本发明提供了一种气箱、气箱的控制方法、半导体薄膜沉积设备及存储介质。所述气箱设于半导体薄膜沉积设备，其中包括多条气体管道、测温装置、至少一个风扇、排气阀及控制器。所述多条气体管道用于传输薄膜沉积反应所需的反应气体和/或载气，其中的至少一条所述气体管道中串接有质量流量计。所述测温装置用于采集所述质量流量计的实测温度。所述至少一个风扇用于将所述气箱内部的气体排出所述气箱。所述排气阀设于所述气箱的排气口。所述控制器被配置为：获取所述质量流量计的实测温度；以及根据所述实测温度，调节所述风扇的转速和/或所
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116497343 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310467323.0
(22)申请日 2023.04.26
(71)申请人 拓荆创益（沈阳）
文档评论（0）