原创力文档- 6
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- 2023-07-29 发布于四川
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本发明公开了一种基于KNN和应力释放凹槽的TFT‑PMUTs及其制备方法和应用，该TFT‑PMUTs包括压电式微机械超声换能器和薄膜晶体管，压电式微机械超声换能器中每个单元的底电极的轴心设有单元中心支柱，每个压电式微机械超声换能器阵元的中心设置阵元中心支柱；KNN压电层在压电式微机械超声换能器阵元的中心位置空白区域设置阵元中心支柱；结构层上设有应力释放凹槽；阵元中心支柱和单元中心支柱与薄膜晶体管的电压开关一一正对连接，每个阵元中心支柱处的顶电极、以及每个单元中心支柱对应的底电极与薄膜晶体管上和他
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116493234 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310467430.3
(22)申请日 2023.04.26
(71)申请人 西安交通大学
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