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- 2023-07-29 发布于四川
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本发明提供了一种控制钻石生长速度的方法，包括以下步骤：S1）烘烤：取一定量的高纯石墨粉与超高纯金属氧化物粉末烘箱中120℃以上烘烤24h;S2）称量：按照金属氧化物粉末与石墨粉的质量份数比为9.5:0.5～0:10；S3）混料：将步骤S2）中称量好的各种比例的粉末分别加入到不同球磨罐中，并按金属氧化物混合粉末质量比例份数，S4）压制：钻石合成腔体中碳源的直径一般约为25～38mm，整体厚度一般为4.00～5.00mm；碳源呈梯度化分布并成型；S5）精整与保存。本发明通过调节碳源中各层金属氧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116492926 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310289771.6
(22)申请日 2023.03.23
(71)申请人 湖北科技学院
地址 437100
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