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鳍式场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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鳍式场效应晶体管及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法。所述制备方法包括将第一晶圆表层的SiC热氧化形成第一氧化物层，将第二晶圆表层的硅热氧化形成第二氧化物层，并将第一氧化物层与第二氧化物层结合而形成SOI结构；除去位于所述SOI结构表面的选定区域之外的第二晶圆、第二氧化物层、第一氧化物层，从而形成凸起的鳍式结构，余留在所述鳍式结构和第一晶圆之间的第一氧化物层和第二氧化物层形成埋氧化层；制作栅极，且使所述栅极至少覆盖所述鳍式结构的顶部和两个侧壁，图形化定义源、漏区域，对所述源、漏区域进行掺杂并退火形成源极

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504632 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202210561549.2 (22)申请日 2022.05.23 (71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司 地址

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