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- 2023-07-29 发布于四川
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本申请公开了具有场效应晶体管的IC封装件。一种IC封装件(100)包括互连件(108)，其具有间隔开的第一平台(112)和第二平台(116)。IC封装件(100)包括管芯(104)，其与互连件(108)的第一平台(112)的一部分叠置。管芯(104)具有场效应晶体管(FET)和位于管芯(102)表面上的用于FET的焊盘矩阵(120)。焊盘矩阵(120)具有源极焊盘排(124)和漏极焊盘排(128)。漏极键合线(152)从第一漏极焊盘(140)延伸到漏极焊盘排(128)的第二漏极焊盘(144)并延
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504750 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310039125.4
(22)申请日 2023.01.12
(30)优先权数据
17/584,562 2022
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