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一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片.pdf

    本发明提供一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片，高光效LED外延片由下至上依次包括N型氮化物层、有源层以及P型氮化物层，有源层包括多个交替排布的量子阱层、插入层以及量子垒层，插入层包括多个周期性交替排布的第一元素层和第二元素层，本发明中的高光效LED外延片，通过在有源层中的量子阱层和量子垒层之间引入插入层、且插入层由第一元素层和第二元素层呈周期性交替排布，使得插入层的晶格常数介于量子阱层与量子垒层之间，有效地缓解了量子阱层与量子垒层的晶格失配，提升了有源层的晶体质量，降低了有源层中的极

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504887 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310452564.8 (22)申请日 2023.04.25 (71)申请人 江西兆驰半导体有限公司 地址 3

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