边发射激光器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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本申请涉及一种边发射激光器及其制造方法。边发射激光器包括依次设置的P面导电层、P面接触层、P面包覆层、P面波导层以及有源层,所述边发射激光器设有阻电结构,所述阻电结构被配置为能够阻止所述阻电结构两侧的电流注入所述阻电结构对应的区域。上述边发射激光器,能够降低边发射激光器对应于沟槽的部分的发热情况,避免边发射激光器对应沟槽的区域的温度高于沟槽两侧温度,从而有利于提升边发射激光器出射的激光的准直性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116505370 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310734247.5 (22)申请日 2023.06.20 (71)申请人 深圳市柠檬光子科技有限公司 地址

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